تأثير التشعيع على الانتقالات الالكترونية لأغشية اوكسيد النحاس (CuO) المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري

المؤلفون

  • م.م. كيلان اسعد كاضم
  • م.م.عمار عايش حبيب-
  • م.م. جاسم محمد عبد اللطيف

DOI:

https://doi.org/10.57592/djhr.v1i36.1697

الملخص

            تم في هذا البحث دراسة تأثيرالتشعيع بأشعة كاما لمصدر( )على الخواص البصرية  المتمثلة بـ معامل الامتصاص و فجوة الطاقة لأغشية اوكسيد النحاس (CuO)المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري و المرسبة على قواعد زجاجية بدرجة حرارة   (350oC ) و للسمكين مختلفين (9000Å)و(10500Å).

التنزيلات

منشور

19-08-2022

إصدار

القسم

بحـــــــوث العــــــدد

كيفية الاقتباس

تأثير التشعيع على الانتقالات الالكترونية لأغشية اوكسيد النحاس (CuO) المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري. (2022). مجلة ديالى للبحوث الانسانية, 1(36). https://doi.org/10.57592/djhr.v1i36.1697